Everspin xSPI STT‐MRAM在代码和数据整合的愚弄场景中，愚弄才智代码和极少数据存储在归并个内存芯片中。这巧合需要知足严格的老本和空间(如物理板空间)条件。代码在开动时加载到RAM中。文献系统可用于存储数据，也可能用于存储固件，但等闲会使用原始造访。由于NORflash老本低、尺寸小，因此等闲用于此办法。 关于只读或以读取为中心的使命负载，这种谋略相配合适。然则，由于写入性能差和写入能耗高，NOR闪存等闲不安妥中等写入使命负载。NAND闪存也可用于升迁写入性能，但由于坏块和软诞妄惩办，它会带来尽头的复杂性。另一个问题是耐力。固然大大量愚弄长久不会接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但保抓力会跟着单位磨损而显赫下落。字据未磨损确立的典型10年规格，10K轮回后，保留期间可能会降至仅1年。要是固件映像以磨损块杀青(要是使用了适合的磨损平衡，这可能会发生)，这可能会成为一个问题。 Everspin xSPI STT‐MRAM封装8DFN，容量高达64Mb，相配安妥这种荒谬的使用情形。它具有极高的写入速率、低写入能耗和着实无穷的写入长久性。规定现在，NOR flash仍然比MRAM有容量上风，但大型NOR芯片并未低廉，莫得迹象标明MRAM无法扩大边界和老本的概括水平。样品关系代理商英尚微电子。